SK海力士238层NAND闪存在达到业界高堆栈层的实现了世界小面积

今天早些时候，SK海力士正式公布了全球首款238层512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产现在，SK海力士正式发文介绍其最新技术

据介绍，SK海力士238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层的同时，实现了世界最小面积。

SK海力士在2018年开发的96层NAND闪存超越了传统的3D模式，引入了4D模式为了成功开发具有4D架构的芯片，该公司采用了电荷俘获技术和PUC 技术与3D模式相比，4D建筑具有单位面积更小，生产效率更高的优势

官方称，新产品的单位面积密度更高，可以用其更小的面积在相同尺寸的硅片上生产更多的芯片，因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%。

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代提升了50%，芯片读取数据时的能耗也降低了21%。

本站了解到，SK海力士计划首先为cSSD供应238层NAND闪存，然后逐步将进口范围扩大到智能手机和大容量服务器SSDSK海力士也将在明年发布1Tb密度的238层NAND闪存新产品

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