新型高频器件SiCMOSFET以其高耐压低导通电阻低导通损耗等优良特性占领新能源市场

最近几天，国星光电研究院以TO—247—4L的形式推出NSiC—KS系列产品，可应用于移动储能，光伏逆变器，新能源汽车充电桩等场景。

本站了解到，伴随着工业4.0时代和新能源汽车的快速普及，工业电源和高压充电器对功率器件的开关损耗和功率密度的要求不断提高新型高频器件SiC MOSFET以其高耐压，低导通电阻，低导通损耗等优良特性占领新能源市场

国电的封装技术通过科学的系统设计，采用带辅助源引脚的TO—247—4L作为NSiC—KS系列产品的封装形式，并应用于SiC MOSFET，在开关损耗和分立器件驱动设计方面取得了新的突破。

以国家之星电源公司第三代半导体NSiC系列1200v 80mωSiC MOSFET产品为例，采用NSiC—KS封装SiC MOSFET避免了驱动电路和电源电路共用源电路，实现了两个电路的解耦，使NSiC—KS封装SiC MOSFET的开关损耗和导通损耗明显降低，开关频率更快，寄生电感和假导通风险更低。

为满足市场需求，国星光电的NSiC—KS SiC MOSFET产品有多种型号同时，基于公司完整的SiC分立器件生产线，国星光电可以根据客户需求提供高性能，高可靠性，高质量的产品技术解决方案

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。